УДК 62 1.3.049

В.Д.Вернер, д-р техн. наук, проф., И.А.Пурцхванидзе, НПК “Технологический центр” МИЭТ

Микросистемы: проблемы и решения

Обсуждены проблемы, возникающие на восходящей ветви кривой “жизненного цикла” микросистемной техники, как важнейшей стадии процесса микроминиатюризации компонентов и завершенных систем техники XXI века. Наиболее важные из них: нечеткость общепринятой терминологии; отсутствие общепринятых правил стандартизации; трудности организации эффективного взаимодействия между изготовителями и потребителями МСТ; трудности выбора технологии для массового производства и т.д.

Обсуждены методы решения этих проблем, принятые в зарубежных странах. Отмечается отсутствие соответствующих мер поддержки развития МСТ в России.

Широко используемый за рубежом термин “информационное общество” практически означает переход в XXI век к новым принципам организации деятельности человека во всех сферах. Решение конкретной технической задачи обычно достигается созданием систем необходимого уровня, которые должны иметь информационное обеспечение достаточного объема и качества, эффективное управление и результативное исполнение задач системы. При этом главным, конечно, является последнее. Не нарушая целостности системы, ее информационная и управляющая части должны иметь минимально необходимые размеры. В технических системах это достигается использованием микроэлектроники и микросистемной техники. Применение изделий микроэлектроники и микросистемной техники продиктовано не только их малыми размерами, но и новыми качествами, которые привносят интегральные схемы (ИС) и микросистемы (МС) в техническую систему. Внедрение новых ИС в процессоры и запоминающие устройства изделий вычислительной техники помимо уменьшения их объемов (поэтому стало возможным появление персонального компьютера) привело к увеличению их функциональных возможностей. Постоянное снижение цены единичной функции (например, хранения одного бита информации), ИС сделало доступной вычислительную технику (ВТ) для широкого круга потребителей. Аналогично применение головок считывания жестких дисков и головок струйных принтеров, изготовленных по технологии микросистем, позволило увеличить надежность и понизить стоимость периферийных устройств ВТ.

Микросистемная технология (MCT-MST) относится к числу “критических” технологий, т.е. технологий, направленных на обеспечение военной и экономической независимости страны и конкурентоспособности продукции на мировом рынке. МСТ относится и к числу технологий двойного назначения, включает элементы ряда других базовых технологий двойного назначения (технологий микроэлектроники, опто- и акустоэлектроники, лазерных технологий, прецизионных и механотронных технологий, генодиагностики и т.д.) [1].

МСТ насчитывает около 20 видов технологий изготовления и сборки деталей и элементов с линейным размером от нескольких микрометров до нескольких сантиметров в микросистему на одной плате или одном кристалле.

МСТ пока не имеет канонизированной терминологии, стандартизация МС только начинает формироваться. В связи с этим обстоятельством необходимо обсудить классификацию изделий МСТ.

Существует несколько определений микросистемы (МС). В европейской периодике достаточно долго было принято определять МС [2] так: “Микросистема – это интеллектуальная миниатюризированная система, обладающая сенсорными, процессорными и/или актюаторными функциями. В ней обычно используется комбинация двух или больше устройств, действующих на основе использования электрических, механических, оптических, химических, биологических, магнитных или других свойств и интегрированных на одном чипе или мультичиповой плате”.

В США чаще используется термин “микроэлектромеханические системы” (МЭМС): “МЭМС – это интегрированные микроустройства или системы, комбинирующие электрические и механические компоненты, изготовленные по технологиям, совместимым с технологией ИС и имеющие размеры от микрометров до миллиметров. Соединение в таких системах компьютерной обработки с чувствительными и актюаторными компонентами позволяют нам ощущать и контролировать окружающий мир”.

В Японии чаще пользуются терминами “мехатроника” и “микромашины”: “Микромашины состоят из функциональных элементов размером в несколько миллиметров и способных образовать комплексное микроскопическое устройство”.

Каждое из этих определений подчеркивает один из существенных признаков: размер, комплексность, интерфейс с окружающей средой и т.д. Разные наименования одних и тех же объектов вынудили западных экспертов объединить аббревиатуры МЭМС, МСТ, ММ в одну – М [2]. На наш взгляд, это удачное предложение, отражающее к тому же потенциальную трехмерность микросистемных конструкций, вряд ли приживется без принудительных мер стандартизации. Более того, процесс образования новых терминов продолжается: микроэлектрохимические системы (МЭХМС), наноэлектромеханинеские системы (НЭМС), микронанотехнологии (МНТ) и т.д.

Благодаря деятельности NEXUS в научный обиход вошли два термина: “микротехнология” и “микроструктурирование”. Оба обозначают воздействие на материал в целях получения микрокомпонентов размером несколько микрометров. На этой основе дается следующее определение МС: “МС – это комбинация нескольких микрокомпонентов, оптимизированная как целостная система для выполнения одной или нескольких функций и содержащая в большинстве случаев микроэлектронное устройство” [2]. Это определение коррелирует с определением МСТ в работе [1], которое в целом, на наш взгляд, имеет слишком широкие рамки. При попытках сопоставить разноязычную терминологию часто возникают трудности. Если термины МС и МЭМС практически однозначны в русском и английском вариантах, то русский термин “микросистемная техника”, имеющий перевод “microsystems engineering – MSE”, означает конечный продукт, а не процесс создания, заложенный в термине “engineering”.

В зависимости от принятого определения в число МС включают те или иные технические устройства. При этом неизбежно некоторое перекрытие областей “микросистемных” и “немикросистемных” устройств. Поэтому более четкими являются классификации по определенным признакам МС, например, как это сделано в табл. 3 работы [1] по признаку “конструкция-применение”.

В NEXUS выделяют области применения МС в соответствии с клубами “пользователь-изготовитель”, т.е. МС для вычислительной техники, медицинской техники, аэрокосмической техники, автомобильной промышленности, телекоммуникаций, домашней техники и т.д.

Возможно разделение МСТ по направлениям работ в этой области техники:

1. Информационные технологии, конструирование, проектирование и моделирование МС.

2. Материаловедческие и технологические основы МСТ (материалы микроэлектроники и других областей техники, технология микроэлектроники и новые специфические МСТ).

3. Элементная база МС (сенсоры и актюаторы, микромеханизмы, микроинструмент и микродвигатели, источники питания и системы обработки, накопления и передачи информации, микрооптика и т.д.).

4. Типы МС (МЭМС, МОЭМС, микробиотехнические, микроаналитические, микроробототехнические и т.д.).

5. Применение МС (вычислительная техника и информатика, медицина и фармакология, транспорт и навигация, индивидуальная и бытовая техника).

Можно разделять МС на крупные группы, например, “автономные” и “встроенные” МС пли по функциональному признаку “МС для приборов”, “МС для механизмов” и т.д. То или иное определение МС и разделение их на группы выбирается из удобства анализа, но остается условным в отсутствии стандартизации. Например, выбор различных определений МС при анализе рынка приводит к различным оценкам его объема (см. рис. 1,в [3]). По этой причине наибольшую информацию дают сведения о конкретной группе изделий, например, о датчиках давления и т.д. Отсутствие общепринятой стандартизации в области МС и МСТ, включая их определения, – одна из существенных проблем развития этого научно-технического направления. На это обстоятельство указано, в частности, в работе [4].

Как известно, МС содержит целиком или частично три основных компонента:

· приемник воздействия (информации) – чувствительный элемент, преобразующий внешнее воздействие в электрический или оптический сигнал;

· устройство обработки, хранения и передачи сигнала в аналоговой или цифровой форме;

· устройство, преобразующее сигнал в воздействие на внешние объекты микроактюаторы (преобразователи).

Примером МС с использованием всех трех компонентов может быть микроробот и микролаборатория на “чипе” (кристалле, подложке), примером МС с использованием одного - двух компонентов может служить микродатчик, микроаксельрометр, микрореле, микромотор, микродвигатель и т. д.

Как известно, в микроэлектронике сложность микросхемы характеризуется степенью интеграции. В работе [4] для оценки сложности МЭМС предложен коэффициент качества, который равен произведению числа транзисторов и числа механических компонентов , однако в отсутствии стандартизации нельзя надеяться на появление классификации МС по признаку значения произведения .

В различных публикациях и презентациях неоднократно подчеркивались преимущества МС. Малые размеры компонентов МС обеспечивают первое преимущество МС – малые весогабаритные показатели. Подобно изделиям микроэлектроники, детали и компоненты МС изготовляются по групповой технологии, что обеспечивает высокую воспроизводимость параметров и низкую стоимость при массовом производстве. Использование бездефектных монокристаллических и других монолитных материалов обеспечивает высокую надежность МС и возможность использования МС в экстремальных условиях эксплуатации. Широкий спектр конструктивных элементов МС и применяемых при их изготовлении материалов обеспечивают широкую номенклатуру МС. Указанные преимущества позволяют применять МС в объектах гражданского и военного назначения. Однако последовательная реализация всех перечисленных преимуществ в конкретной МС часто вызывает значительные трудности и проблемы.

Более детально остановимся на перспективах развития разных типов МС для решения актуальных проблем XXI века. Одна из тенденций – дальнейшая микроминиатюризация отдельных или всех трех основных компонентов МС. Например, в американской “Национальной НаноИнициативе” (NNI) ставится общая задача уменьшение размеров МЭМС в 10 раз [5]. Это одна из проблем, возникающая на данном этапе развития МСТ. В 1999 г. один из авторов в статье [6] утверждал, что область технологий с критическими размерами 3-1 мкм достаточна для успешного освоения МСТ на базе трансферта технологии микроэлектроники в МСТ. В связи с этим обстоятельством была сформулирована идея такого трансферта российской полупроводниковой технологии на незагруженных основной продукцией производственных линиях в область МСТ. Правомерность такого решения нашла свое подтверждение в практике крупнейших западных полупроводниковых компаний, которые активно включились в МСТ на базе “устаревших” микроэлектронных линий (Intel, Motorola, IBM и т.д.). Однако в настоящее время в условиях России это означает необходимость параллельного освоения области литографических размеров менее 0,5 мкм как для микроэлектроники, так и для МС коммерческого и специального назначения.

За рубежом перспектива широкого применения различных МС способствовала появлению ряда национальных и корпоративных программ по МС, финансируемых, в том числе, и из военных бюджетов. Интенсивный рост числа фирм, выпускающих МС или применяющих их в своих изделиях, привел к энергичному росту объема мирового рынка МС (с темпом 18-20% в год), который по разным оценкам достигает к 2002 г. 35-40 млрд долл. США при общем числе изделий около 7 млрд шт. О динамичности рынка МС, как части рынка изделий высоких технологий, свидетельствует также снижение цены типовых изделий МСТ в среднем в 2,6 раза за 5 лет при росте числа изделий 4,3 раза [7]. В анонсе нового анализа рынка МС NEXUS предсказывает дальнейший рост рынка во всех его секторах от 30 млрд долл. в 2000 г. до 68 млрд долл. в 2005 г. [8, рис. 2]. Показатели динамики основных сложившихся секторов рынка МС (периферийные устройства вычислительной техники, МС для медицины, транспорта, телекоммуникаций и т.д.) не уступают, а в ряде случаев и превосходят показатели рынка изделий микроэлектроники, вычислительной техники и телекоммуникаций.

Появление МСТ исторически связано с технологией микроэлектроники. Наиболее распространенной формой производственной линии МСТ является соединение типовой технологической линии микроэлектроники (например, КМОП-технологии, т.е. планарной технологии) с дополнительным специфическим модулем МСТ для создания трехмерных структур. Перспективность кремниевой технологии связывают именно с возможностью размещения на одном кристалле функциональной части МС и компонентов электронной обработки сигнала, т.е. с созданием систем на кристалле SiCS. Температурная несовместимость некоторых технологических процессов, возникающая при этом, заставляет разработчиков МС искать новые материалы для подложек (Si-Ge, кремний-на-изоляторе и др.), однако преодолеть все трудности оказалось не простой задачей. Поэтому в большинстве МС используется гибридная технология (многокристальная или “мультичиповая” сборка). В связи с этим на западе значительное внимание в производстве МС уделяют вопросам конструкций сборок и корпусирования, а также проблемам измерений, испытаний и надежности МС. К сожалению, в России этим вопросам пока уделяют недостаточное внимание.

В отличие от технологии современной микроэлектроники, в области МСТ стоимость оборудования пока ниже. Это позволяет создать технологическую линию МСТ стоимостью на 2-3 порядка ниже стоимости субмикронного производства ИС (1-3 млрд долл.). Она доступна для малых фирм и стран, которые никогда не были в числе лидеров микроэлектроники (Швейцария, Дания, Норвегия и т.д.) Доступность МСТ – это еще одно ее преимущество. Конечно, общая тенденция снижения топологических норм касается и МСТ. Здесь также следует ожидать в дальнейшем переход и в нанометровый диапазон топологических норм. Уже известны попытки создавать датчики по нанотехнологии, датчики на основе фуллеренов и от дельных молекул.

Микросистемная техника – очень динамичная отрасль. Несмотря на свою “молодость”, она имеет свою историю изменения роли ее различных направлений и секторов рынка. Общие изменения в мире электроники, связанные с “интеллектуализацией” электронных систем (intellectual property), развитием встраиваемых систем (embedded system), существенным ростом удельной доли производства цифровых сигнальных процессоров (по сравнению с процессорами для персонального компьютера) и систем, работающих в режиме реального времени (RTOS), и т.д. открыли новые возможности для МС в системах коммуникации, транспорта и управления производством. С использованием современных САПР можно без труда спроектировать систему на чипе, включающую интеллектуальное ядро, сенсоры, актюаторы и при необходимости коммуникационный блок. О технологических трудностях, возникающих при этом, говорилось выше.

Примерами областей применения МС могут быть глобальная система позиционирования (GPS – Global Positioning System), Интернет-телефон (VIOP – Voice over Internet Protocol), новые аудиосистемы, автомобильные системы управления и контроля и т. п.

В связи с этим несколько меняется взгляд на перспективы развития сложившихся секторов рынка МСТ [8]. Все большее значение приобретает МСТ для телекоммуникаций. Прогресс здесь, прежде всего, связан с микрооптоэлектромеханическими системами (МОЭМС). Перестраиваемые системы линз, зеркал, источников и приемников света в сочетании с традиционными устройствами оптоволоконной оптики, но изготовленные методами микротехнологий, позволяют сконструировать и изготовить новые конкурентоспособные устройства. Примером может служить проекционный телевизионный экран с тысячами микрозеркал. Весьма активно стала развиваться область микрокомпонентов для радиочастотных блоков: микроключи, микрореле, микроконденсаторы и микроиндуктивности, фильтры и резонаторы. Быстрыми темпами развивается сектор персональных информационных устройств (information appliances). Развитие беспроводных коммуникационных систем в промышленности и быту дает возможность подключиться к информационным и компьютерным сетям в любом месте и в любое время. Появился новый термин “всепроникающий компьютинг” (ubiquitous computing), который пытается передать появление нового взаимодействия между “цифровым” и реальным миром.

Общая тенденция микроминиатюризации: “дешевле, меньше и с меньшим потреблением энергии” - служит мощным стимулом развития микроэлектроники и микросистем. Только они способны обеспечить главное условие требуемого пути развития – автономность устройств на базе встроенных интеллектуальных систем [9]. В результате человек начинает жить во всепроникающей интеллектуальной среде, находясь на работе, в транспорте или дома. Даже одежда человека становится частью индивидуальной информационной системы (см. рис. 3, в [10]). Конечно, такая одежда первоначально будет использоваться на производстве, медицине или в военном деле, но и “высокая мода” может стать участником этого процесса. Главное, что эти устройства постепенно станут стандартными комплектующими, без которых товар перестанет быть конкурентоспособным.

Правильный выбор производимого МС продукта, технологии и организации его производства – одна из животрепещущих проблем для МСТ. Это заставляет производителей искать наиболее эффективные методы организации и управления производством. Например, фирма Standard MEMS (США) [11] считает, что за счет вертикальной интеграции их производства цикл от разработки до полномасштабного производства сокращается от 3-6 лет по традиционному циклу до 8-14 месяцев. В целях ускорения выхода продукции на рынок активно объединяются традиционные производители МСТ с исследовательскими группами, прежде всего из университетов. Примером может служить объединение норвежской производственной фирмы SensoNor и разрабатывающей фирмы ТМП при университете г. Энсхеде (Нидерланды). Аналогичный пример – объединение фирмы AN-SYS – мирового лидера в области computer aided engineering (САЕ) и французской фирмы МЕМ-SCAP – лидера в области проектирования МЭМС.

Несколько слов о САПР для МСТ. Существует большое число пакетов САПР. Выбор может быть сделан только на основе анализа соответствия САПР разрабатываемому продукту МСТ. Специфичность конструкции (наименьшие размеры, материалы, необходимость учета трехмерности и т.д.) накладывают свои отпечатки на параметры модели. Например, в микрофлуидных устройствах важное значение приобретают капиллярные и адгезионные явления. Эффективность разработки МС изделия зависит от стадии моделирования и САПР в гораздо большей мере, чем при разработке макроаналога этого изделия.

При освоении новой научно-технической области основные трудности возникают на стадии перехода к производству, поскольку на стадии освоения производственных технологий, как и в любом другом производстве, в МСТ существует набор основных технологий (уже говорилось, что их около 20), которые позволяют изготовить все необходимые компоненты, детали и выполнить их сборку. Как мы уже отмечали, первыми технологиями производства элементов МС были технологии микроэлектроники, а первым материалом – кремний. Кремний по-прежнему широко используется в МСТ, так как позволяет изготовить не только деталь МС, но и разместить схемы обработки сигнала и управления на одном материале. Однако спектр материалов для МС гораздо шире: металлы, сплавы, пластмассы и другие полимеры, стекла и т.д. Из этих материалов нужно изготовлять не только поверхностные конструкции, но и объемные. При этом индивидуальная обработка допустима только для прототипов изделий. Массовое производство дешевых изделий требует применение групповой технологии. Одной из первых технологий подобного типа была разработанная в Германии ЛИГА-технология. В этой технологии с помощью синхронного излучения в толстом фоторезисте формируются полости, на сторонах которых электрохимически осаждается металл. Таким образом, создаются или готовые изделия из металла, или пресс-формы для их дальнейшего тиражирования. Технология имеет два недостатка: требует применения синхронного излучения и дает возможность получить изделия только с прямолинейной образующей формы (цилиндры, прямые параллелепипеды и т.д.). Несмотря на это ЛИГА-технология занимает второе место по частоте применения. Объемные детали более сложной формы (например, витые поверхности, пружины и т.д.) получают методами стереообработки, (стереолитография, стереосаждение и т.д.), в которых осуществляется программированное осаждение (удаление) слоев – сечений изделия. Эти методы негрупповые и поэтому пригодны только для создания прототипов. Появились сообщения о технологиях (DEM-технология), подобных ЛИГА-технологии, но которые базируются на кремниевой технологии и не требуют применения синхротронного излучения и позволяют получать детали из металла или пластмассы. Это дает возможность рассматривать кремниевую технологию как базовую.

Однако, несмотря на все успехи кремниевой технологии в микроэлектронике, переход к МСТ не очень прост. Даже в случае простых МС часто требуется вводить новые процессы, связанные с формообразованием объемных структур. К их числу относятся процессы травления с большими аспектными отношениями, двухсторонняя фотолитография, корпусирование. Еще более сложные проблемы возникают при изготовлении деталей и элементов конструкции МЭМС и МОЭМС, которые помимо трехмерности часто должны иметь сложную форму.

Поиск оптимальных решений приводит к синергетическому слиянию разных типов технологий МСТ. Например, DEM-технология является сочетанием методов объемного травления кремния с процессами гальванического осаждения, впервые использованными в ЛИГА-процессе. Эти же процессы в волоконной технологии позволяют получить трубчатые детали сложной формы, недоступные самой ЛИГА-технологии. Стереолитография, которая методом послойной полимеризации позволила впервые получить объемные детали сложной формы, дала стимул для развития методов послойного осаждения металлов из газовой фазы или его наплавления из порошка.

В настоящее время практически решены вопросы создания экспериментальных прототипов всех деталей, необходимых для МЭМС любой сложности, однако, как уже отмечалось, эффективным производство МСТ становится только при групповой обработке, способной сделать серийное производство рентабельным. Косвенным доказательством эффективности технологического процесса может служить появление на рынке специализированного для МСТ оборудования. Первоначально МСТ оборудование начали производить для процессов литографии и сухого травления. В настоящее время уже несколько фирм, например австрийская фирма EVG, поставляют комплексное оборудование для кремниевой МСТ.

Одна из возможных форм повышения эффективности производства МСТ вновь подсказала микроэлектроника. Суть состоит в территориальном разделении технологий. Каждый из этапов (или хотя бы их часть) может быть высокоэффективным производством. Известно, что сейчас в мире существует большое число фирм, производящих микроэлектронную продукцию, не имея собственного технологического оборудования (fables). Это стало возможным после появления на рынке доступных и универсальных САПР, с помощью которых можно спроектировать оригинальную собственную интегральную схему, блок или аппаратуру, а их производство осуществлять на технологических линейках фирм, специализирующихся на производстве массовой продукции (например, схем памяти или микропроцессора).

В технологии МСТ был сделан следующий шаг разделения технологий. Спроектированная МС частично изготовляется на серийном микроэлектронном предприятии (поверхностная обработка), а частично – на специализированном производстве (объемная обработка). Подобное производство может быть организовано в лаборатории или на малой фирме, так как технологическое оборудование может быть недорогим, а его размещение не требует чистых комнат микроэлектронного уровня. Дальнейшее повышение эффективности производства МС может быть достигнуто за счет увеличения серийности специализированного производства, например, если один технологический процесс используется при обработке большого числа однотипных изделий. Идея такого глубокого разделения производства МС на этапы, каждый из которых может производиться на территориально удаленных друг от друга производственных участках, реализован в США путем создания “виртуального производства” (Virtual fab) фирмой MEMS Exchange. Разработчик с помощью этой фирмы может спроектировать и изготовить по необходимому технологическому маршруту отдельные компоненты или законченную МС. При этом сама фирма является только менеджером-диспетчером, обеспечивая прохождение заказа на технологических линейках различных производственных фирм [12].

Суммируя изложенное выше, можно отметить следующее:

· МСТ уже сформировалась как одно из ведущих направлений техники XXI века;

· объем уже производимой продукции позволяет говорить о глобальном рынке МСТ с высокими темпами роста;

· трудности расширения номенклатуры МСТ только частично связаны с технологическими проблемами производства, так как они могут быть преодолены тем или иным путем;

· более существенной является проблема выбора для производства определенного типа МС и МСТ, поскольку сфера взаимодействия изготовителя и потребителя в этой области техники только складывается.

В целях устранения разрыва между потенциальными потребителями и изготовителями микросистем в западных странах были разработаны и действуют национальные и межгосударственные программы по МС, различного рода союзы, клубы и ассоциации. Ключевым моментом стало создание информационных сетей по МСТ. В Европе роль сетевой структуры, способствующей объединению специалистов по МСТ, играют НЕКСУС (NEXUS) и МИНАНЕТ (MINANET) - неправительственные организации, работающие по контракту с Европейским Союзом.

В России ситуация гораздо хуже. Было создано несколько проектов национальных программ по МСТ, действует (и к тому же в урезанном виде) только одна. Отсутствует национальная информационная структура по МСТ. И хотя российский научный потенциал, как всегда, достаточно велик, его влияние на целенаправленное продвижение МСТ в экономику страны пока мало.

Список литературы

1. Бочаров Л.Ю., Мальцев П.П. Состояние и перспективы развития микромеханических систем за рубежом / Микросистемная техника. 1999. № 1. С. 41-46.

2. Климов Д.М., Лучинин В.В., Васильев А.А., Мальцев П.П. Перспективы развития микросистемной техники в XXI веке / Микросистемная техника. 1999. № 1. С. 3-6.

3. A NEXUS. Task Force Report 1988. P. 23-24.

4. Grace R.H., Salomon P. Microsystems (MEMS), Micromachincs on the Move from Technology to Business / MST news. 2001. № 5/01. P. 4-8.

5. Мальцев П.П. Микросистемная техника – расширение возможностей микроэлектроники / Микроэлектроника. 2001. Т. 30. № 1. С. 32-34.

6. National Nanotechnology Initiative. July 2000. Washington D.C.

7. Вернер В.Д., Чаплыгин Ю.А., Сауров А.Н., Шелепин Н.А. Микросистемы и биочипы – трансферт технологии микроэлектроники / Электронные компоненты. 2000. № 1. С. 3-5.

8. A NEXUS Task Report 1998. P. 7-17.

9. Market Analysis for Microsystems 2000–2005: A Report from the NEXUS Task Force // MST news. 2002. № 2/02. P. 43-44.

10. Riemenschneider R., Stresse H. Microsystems Approaching Ubiquititos Computing // MST news. 2000/02. P. 4-8.

11. Hartmann W, D., Ullsperger A. High-tech Fashion for Ambient Intelligence and Ubiquitous Computing // MST news. 2002. № 2. P. 15-16.

12. Song X., Reynaerts D., Meersen W., Van Brussel H. MicroEDM for silicon microstructure fabrication // Proceedings of SPIE. 1999. Vol. 3680. P. 792-799.

13. MEMS Exchange http//www.mems-exchange.org

Наверх